흥미로운 질문이 올라와서 오랫만에 메모리 반도체 시방서를 뒤적여 보게 되었습니다. 마이크론의 시방서가 일목요연한 것이 알아보기 쉽게 되어 있더군요.

DDR3 SDRAM SO-DIMM 204-pin 2GB x64 의 시방서 11 페이지에 보시면 메모리 동작 모드에 따른 800, 1066, 1333 메모리의 전력 소모량을 비교해 놓았습니다.

물성전자적인 측면에서 보면, 동일한 회로 선폭으로 구성된 반도체는 동작 클럭 속도에 비례하여 전력 소모량이 증가하며 그와 함께 발열도 증가합니다. 이 점이 결국 반도체의 물리적 한계를 형성합니다.

반도체의 AC 특성은 회로 선폭과 동작 전압에 의해 변경될 수 있습니다. 향상된 기술로 도핑된 메모리 반도체의 경우는 이 특성이 바뀌게 되지요. 따라서, 위의 질문이 만일 동일 회사의 동일 아키텍쳐로 구성된 메모리 반도체의 경우라면 답변은 간단하지만, 제조 회사가 다르거나 아키텍쳐가 다르다면 이야기는 좀 달라지겠습니다.